TD163B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TD163B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для TD163B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TD163B даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TD162, TD162-1, TD162A, TD162B, TD162C, TD163, TD163-1, TD163A, B647, TD163C, TD264, TD264-1, TD264A, TD264B, TD264C, TD265, TD265-1