TEC8012H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TEC8012H

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 144

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для TEC8012H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TEC8012H даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TD648, TD649, TD650, TEC8012, TEC8012D, TEC8012E, TEC8012F, TEC8012G, 2N3906, TEC8013, TEC8013D, TEC8013E, TEC8013F, TEC8013G, TEC8013H, TEC9011, TEC9011E