TI425. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TI425

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO50-1

 Аналоги (замена) для TI425

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TI425 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TI416, TI417, TI418, TI419, TI421, TI422, TI423, TI424, 2N5401, TI426, TI427, TI428, TI429, TI430, TI431, TI432, TI433