TIP34C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TIP34C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO218
Аналоги (замена) для TIP34C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TIP34C даташит
tip33c tip34c.pdf
TIP33C TIP34C Complementary power transistors . Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN - PNP transistors Applications General purpose 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagrams Table 1.
tip33c tip34c .pdf
TIP33C TIP34C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING DESCRIPTION 3 The TIP33C is a silicon Epitaxial-Base NPN 2 power transistor mounted in TO-218 plastic 1 package. It is intented for use in linear and switching applications. TO-218 The complementary PNP t
tip34c.pdf
SEMICONDUCTOR TIP34C TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Complementary to TIP33C. Recommended for 45W 50W Audio Frequency DIM MILLIMETERS A 15.9 MAX Amplifier Output Stage. B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 G 3.3 MAX d MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 9.0 I 4.5 CHARACTERISTIC SY
tip34 tip34a tip34b tip34c.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors TIP34/34A/34B/34C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP33/33A/33B/33C DC current gain hFE=40(Min)@IC=1.0A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base
Другие транзисторы: TIP33B, TIP33C, TIP33D, TIP33E, TIP33F, TIP34, TIP34A, TIP34B, 2SD669A, TIP34D, TIP34E, TIP34F, TIP35, TIP35A, TIP35B, TIP35C, TIP35D
History: CD9015D3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent







