TIP52 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP52  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIP52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP52 даташит

 ..1. Size:127K  mospec
 tip51 tip52 tip53 tip54.pdf pdf_icon

TIP52

A A A

 ..2. Size:218K  inchange semiconductor
 tip52.pdf pdf_icon

TIP52

isc Silicon NPN Power Transistors TIP52 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 30 150@ I = 0.3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for line operated audio output amplifier,and switching power supply drivers applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: TIP512, TIP513, TIP514, TIP515, TIP516, TIP517, TIP518, TIP519, 2N2222A, TIP520, TIP521, TIP522, TIP523, TIP524, TIP525, TIP526, TIP527