Биполярный транзистор TIP525 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP525
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO3
TIP525 Datasheet (PDF)
9.2. Size:218K inchange semiconductor
tip52.pdf
tip52.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors TIP52DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 30~150@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated audio output amplifier,and switchingpower supply drivers applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
