Биполярный транзистор TIP526 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP526
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO61
TIP526 Datasheet (PDF)
9.2. Size:218K inchange semiconductor
tip52.pdf
tip52.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors TIP52DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 30~150@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated audio output amplifier,and switchingpower supply drivers applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
