Биполярный транзистор TIP535 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP535
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
TIP535 Datasheet (PDF)
9.2. Size:218K inchange semiconductor
tip53.pdf
tip53.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors TIP53DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 30~150@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated audio output amplifier,and switchingpower supply drivers applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
