Биполярный транзистор TIP660 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: TIP660
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 320 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам