TIPP112 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIPP112  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIPP112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIPP112 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TIPL785, TIPL785A, TIPL790, TIPL790A, TIPL791, TIPL791A, TIPP110, TIPP111, BC549, TIPP115, TIPP116, TIPP117, TIPP31, TIPP31A, TIPP31B, TIPP31C, TIPP32