TIPP32B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIPP32B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIPP32B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIPP32B даташит

 9.1. Size:72K  bourns
 tipp31 tipp31a tipp31b tipp31c.pdf pdf_icon

TIPP32B

TIPP31, TIPP31A, TIPP31B, TIPP31C NPN SILICON POWER TRANSISTORS 20 W Pulsed Power Dissipation 100 V Capability LP PACKAGE (TOP VIEW) 2 A Continuous Collector Current E 1 4 A Peak Collector Current 2 C 3 B Customer-Specified Selections Available MDTRAB absolute maximum ratings at 25 C case temperature (unless otherwise noted) RATING SYMBOL VALUE UNIT TIPP31

Другие транзисторы: TIPP116, TIPP117, TIPP31, TIPP31A, TIPP31B, TIPP31C, TIPP32, TIPP32A, MPSA42, TIPP32C, TIS03, TIS04, TIS05, TIS06, TIS07, TIS108, TIS18