TIS108 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIS108  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIS108

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIS108 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TIPP32A, TIPP32B, TIPP32C, TIS03, TIS04, TIS05, TIS06, TIS07, BD136, TIS18, TIS37, TIS38, TIS44, TIS45, TIS47, TIS48, TIS49