Биполярный транзистор TIS63 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: TIS63
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: X10
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам