Справочник транзисторов. TK45

 

Биполярный транзистор TK45 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TK45
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: X18
 

 Аналог (замена) для TK45

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TK45 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:239K  toshiba
tk45s06k3l.pdfpdf_icon

TK45

TK45S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK45S06K3LTK45S06K3LTK45S06K3LTK45S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low

 0.2. Size:294K  toshiba
tk45p03m1.pdfpdf_icon

TK45

TK45P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK45P03M1TK45P03M1TK45P03M1TK45P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 8.0 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.5 m (typ.) (VG

 0.3. Size:2021K  wietron
wtk4501.pdfpdf_icon

TK45

WTK4501N-CHANNELN AND P-Channel Enhancement 7,8 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGEMode POWER MOSFET30 VOLTAGEP b Lead(Pb)-FreeDRAIN CURRENT7 AMPERES2 GATEP-CHANNEL1 SOURCEDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:5,6 DRAIN-30 VOLTAGE* Low Gate changeDRAIN CURRENT* Low On-Resistance N-CH RDS(ON)

 0.4. Size:242K  first silicon
ftk4503.pdfpdf_icon

TK45

SEMICONDUCTOR FTK4503TECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK4503 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications. P-channel N-channel Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D 2 D 2N-Channel 6 58 7VDS = 30V,ID = 6.9A 4503RDS(ON)

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SA516A | NB021EV | 2SC3752L | PDTC123EU | KSD5059 | TIPL761C | NA42UJ

 

 
Back to Top

 


 
.