Биполярный транзистор TN2369R Даташит. Аналоги
Наименование производителя: TN2369R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
TN2369R Datasheet (PDF)
ktn2369u au.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2369U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. EFEATURES M B MDIM MILLIMETERSHigh Frequency Characteristics._A+2.00 0.20D2_+B 1.25 0.15: fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA)._+C 0.90 0.1031Excellent Switching Characteristics. D 0.3+0.10/-0.05_E +2.10 0.20G 0.65H 0.15+0.1/
ktn2369 a.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2369/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B CFEATURESHigh Frequency Characteristics : fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA).Excellent Switching Characteristics.N DIM MILLIMETERSKTN2369/2369A Electrically Similar to 2N2369/2369A.A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RA
ktn2369s as.pdf

SEMICONDUCTOR KTN2369S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+2.93 0.20Excellent High Frequency Characteristics. AB 1.30+0.20/-0.15Excellent Switching Characteristics.C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10L 0.55P PM 0.2
btn2369n3.pdf

Spec. No. : C229N3 Issued Date : 2004.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.02.23 Page No. : 1/6 High Frequency NPN Switching Transistor BTN2369N3Description High transition frequency, f =500MHz(min) T High current, IC(max)=500mA Low saturation voltage, V =0.3V(max) CE(SAT) Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTN
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: KSP5179 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614
History: KSP5179 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor