Справочник транзисторов. TN2369R

 

Биполярный транзистор TN2369R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TN2369R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TN2369R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:27K  kec
ktn2369u au.pdfpdf_icon

TN2369R

SEMICONDUCTOR KTN2369U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. EFEATURES M B MDIM MILLIMETERSHigh Frequency Characteristics._A+2.00 0.20D2_+B 1.25 0.15: fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA)._+C 0.90 0.1031Excellent Switching Characteristics. D 0.3+0.10/-0.05_E +2.10 0.20G 0.65H 0.15+0.1/

 8.2. Size:309K  kec
ktn2369 a.pdfpdf_icon

TN2369R

SEMICONDUCTOR KTN2369/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B CFEATURESHigh Frequency Characteristics : fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA).Excellent Switching Characteristics.N DIM MILLIMETERSKTN2369/2369A Electrically Similar to 2N2369/2369A.A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RA

 8.3. Size:306K  kec
ktn2369s as.pdfpdf_icon

TN2369R

SEMICONDUCTOR KTN2369S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+2.93 0.20Excellent High Frequency Characteristics. AB 1.30+0.20/-0.15Excellent Switching Characteristics.C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10L 0.55P PM 0.2

 8.4. Size:226K  cystek
btn2369n3.pdfpdf_icon

TN2369R

Spec. No. : C229N3 Issued Date : 2004.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.02.23 Page No. : 1/6 High Frequency NPN Switching Transistor BTN2369N3Description High transition frequency, f =500MHz(min) T High current, IC(max)=500mA Low saturation voltage, V =0.3V(max) CE(SAT) Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTN

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KSP5179 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614

 

 
Back to Top

 


 
.