TN3396 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN3396  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN3396

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN3396 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TN3253, TN3390, TN3391, TN3391A, TN3392, TN3393, TN3394, TN3395, S9014, TN3397, TN3398, TN3402, TN3403, TN3404, TN3405, TN3414, TN3415