TN4030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN4030  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO237

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN4030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN4030 даташит

 9.1. Size:446K  fairchild semi
 tn4033a.pdf pdf_icon

TN4030

TN4033A TO-226 C B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at currents to 500 mA and collector voltages up to 70V. Sourced from Process 67. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V VEBO Emitter-

Другие транзисторы: TN3903R, TN3904, TN3904R, TN3905, TN3905R, TN3906, TN3906R, TN3962, D667, TN4033, TN4036, TN4037, TN4121, TN4122, TN4123, TN4124, TN4125