TN5127 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN5127  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN5127

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5127 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TN4889, TN4890, TN4916, TN4917, TN4964, TN4965, TN5022, TN5023, 2SC4793, TN5128, TN5129, TN5130, TN5131, TN5132, TN5133, TN5134, TN5135