TN5135 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN5135  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN5135

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5135 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TN5127, TN5128, TN5129, TN5130, TN5131, TN5132, TN5133, TN5134, TIP35C, TN5136, TN5137, TN5138, TN5139, TN5140, TN5141, TN5142, TN5143