TN5816 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN5816  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN5816

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5816 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TN5401, TN5401R, TN5447, TN5449, TN5550, TN5550R, TN5551, TN5551R, 13005, TN5855, TN5856, TN5857, TN5858, TN5910, TN6076, TN706, TN706A