Биполярный транзистор TP2904
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TP2904
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
TO92
Аналоги (замена) для TP2904
TP2904
Datasheet (PDF)
9.1. Size:173K cystek
btp2907a3.pdf Spec. No. : C317A3-H Issued Date : 2002.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.06.29 Page No. : 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907A3Description The BTP2907A3 is designed for general purpose amplifier and high-speed switching, medium power applications. Low collector saturation voltage High speed switching. Complementa
9.2. Size:258K cystek
btp2907an3.pdf Spec. No. : C317N3 Issued Date : 2003.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2008.03.21 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907AN3Description The BTP2907AN3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-23 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat)
9.3. Size:192K cystek
btp2907al3.pdf Spec. No. : C317L3-H Issued Date : 2003.04.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.07.04 Page No. : 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907AL3Description The BTP2907AL3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. Low V CE(sat)
9.4. Size:257K cystek
btp2907sl3.pdf Spec. No. : C824L3 Issued Date : 2003.07.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.12 Page No. : 1/7 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BTP2907SL3Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V (sat)=-0.5V(max) (I =-1A, I =-100mA). CE C B Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol OutlineBTP2907SL3
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.