TP2906AR - описание и поиск аналогов

 

TP2906AR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TP2906AR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для TP2906AR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP2906AR даташит

 9.1. Size:173K  cystek
btp2907a3.pdfpdf_icon

TP2906AR

Spec. No. C317A3-H Issued Date 2002.06.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2005.06.29 Page No. 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907A3 Description The BTP2907A3 is designed for general purpose amplifier and high-speed switching, medium power applications. Low collector saturation voltage High speed switching. Complementa

 9.2. Size:258K  cystek
btp2907an3.pdfpdf_icon

TP2906AR

Spec. No. C317N3 Issued Date 2003.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2008.03.21 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907AN3 Description The BTP2907AN3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-23 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat)

 9.3. Size:192K  cystek
btp2907al3.pdfpdf_icon

TP2906AR

Spec. No. C317L3-H Issued Date 2003.04.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.07.04 Page No. 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907AL3 Description The BTP2907AL3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. Low V CE(sat)

 9.4. Size:257K  cystek
btp2907sl3.pdfpdf_icon

TP2906AR

Spec. No. C824L3 Issued Date 2003.07.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.12 Page No. 1/7 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat) BTP2907SL3 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V (sat)=-0.5V(max) (I =-1A, I =-100mA). CE C B Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTP2907SL3

Другие транзисторы: TP2894, TP2894R, TP2904, TP2904A, TP2905, TP2905A, TP2906, TP2906A, 2N3906, TP2906R, TP2907, TP2907A, TP2907AR, TP2907R, TP2923, TP2924, TP2925

 

 

 

 

↑ Back to Top
.