Биполярный транзистор TP2907 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: TP2907
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
TP2907 Datasheet (PDF)
btp2907a3.pdf

Spec. No. : C317A3-H Issued Date : 2002.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.06.29 Page No. : 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907A3Description The BTP2907A3 is designed for general purpose amplifier and high-speed switching, medium power applications. Low collector saturation voltage High speed switching. Complementa
btp2907an3.pdf

Spec. No. : C317N3 Issued Date : 2003.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2008.03.21 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907AN3Description The BTP2907AN3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-23 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat)
btp2907al3.pdf

Spec. No. : C317L3-H Issued Date : 2003.04.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.07.04 Page No. : 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP2907AL3Description The BTP2907AL3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. Low V CE(sat)
btp2907sl3.pdf

Spec. No. : C824L3 Issued Date : 2003.07.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.12 Page No. : 1/7 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BTP2907SL3Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V (sat)=-0.5V(max) (I =-1A, I =-100mA). CE C B Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol OutlineBTP2907SL3
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: TP3646 | TPC6D03 | TP2906A | TP3721 | TPCP8507 | TP918 | TP3393
History: TP3646 | TPC6D03 | TP2906A | TP3721 | TPCP8507 | TP918 | TP3393



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet