TP5401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TP5401  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TP5401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP5401 даташит

 0.1. Size:243K  diodes
 zxtp5401g.pdf pdf_icon

TP5401

ZXTP5401G 150V, SOT223, PNP High voltage transistor Summary BVCEO > -150V BVEBO > -5V IC(cont) = -600mA PD = 2W Complementary part number ZXTN5551G Description C A high voltage PNP transistor in a surface mount package Features B 150V rating SOT223 package E Applications E High voltage amplification C C Ordering information Device Reel size Tape width Quantit

 0.2. Size:247K  diodes
 zxtp5401z.pdf pdf_icon

TP5401

ZXTP5401Z 150V, SOT89, PNP High voltage transistor Summary BVCEO > -150V BVEBO > -5V IC(cont) = -600mA PD = 1.2W Complementary part number ZXTN5551Z Description C A high voltage PNP transistor in a small outline surface mount package. Features B 150V rating SOT89 package E Applications High voltage amplification E Ordering information C C Device Reel size Tap

 0.3. Size:187K  diodes
 zxtp5401fl.pdf pdf_icon

TP5401

A Product Line of Diodes Incorporated ZXTP5401FL 150V PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features and Benefits Mechanical Data BVCEO > -150V Case SOT23 Maximum Continuous Collector Current IC = -600mA UL Flammability Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics up to IC = -50mA Case material molded Plastic. Low Saturation Voltages

 0.4. Size:153K  cystek
 btp5401a3.pdf pdf_icon

TP5401

Spec. No. C307A3 Issued Date 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP5401A3 Description The BTP5401A3 is designed for general purpose amplification. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -150V Complementary to BTN5551A3. Symbol Outline BTP5401A3 TO-92 B Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TP5140, TP5141, TP5142, TP5143, TP5172, TP5179, TP5400, TP5400R, S9013, TP5401R, TP5447, TP5449, TP5550, TP5550R, TP5551, TP5551R, TP5816