Справочник транзисторов. TP5401

 

Биполярный транзистор TP5401 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TP5401
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для TP5401

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP5401 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:243K  diodes
zxtp5401g.pdfpdf_icon

TP5401

ZXTP5401G150V, SOT223, PNP High voltage transistorSummary BVCEO > -150VBVEBO > -5VIC(cont) = -600mA PD = 2WComplementary part number ZXTN5551GDescriptionCA high voltage PNP transistor in a surface mount packageFeaturesB 150V rating SOT223 packageEApplicationsE High voltage amplificationCCOrdering informationDevice Reel size Tape width Quantit

 0.2. Size:247K  diodes
zxtp5401z.pdfpdf_icon

TP5401

ZXTP5401Z150V, SOT89, PNP High voltage transistorSummary BVCEO > -150VBVEBO > -5VIC(cont) = -600mA PD = 1.2WComplementary part number ZXTN5551ZDescriptionCA high voltage PNP transistor in a small outline surface mount package.FeaturesB 150V rating SOT89 packageEApplications High voltage amplificationEOrdering informationCCDevice Reel size Tap

 0.3. Size:187K  diodes
zxtp5401fl.pdfpdf_icon

TP5401

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXTP5401FL 150V PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features and Benefits Mechanical Data BVCEO > -150V Case: SOT23 Maximum Continuous Collector Current IC = -600mA UL Flammability Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics up to IC = -50mA Case material: molded Plastic. Low Saturation Voltages

 0.4. Size:153K  cystek
btp5401a3.pdfpdf_icon

TP5401

Spec. No. : C307A3 Issued Date : 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/4 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP5401A3Description The BTP5401A3 is designed for general purpose amplification. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -150V Complementary to BTN5551A3. Symbol Outline BTP5401A3TO-92 BBase

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC1882 | TK3904NND03 | 2SA609 | SEBT9018 | PDTA143XU | MJF10012

 

 
Back to Top

 


 
.