TP6076 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TP6076  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TP6076

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP6076 даташит

 9.1. Size:2040K  stansontech
 stp607d.pdf pdf_icon

TP6076

STP607D P Channel Enhancement Mode MOSFET -10.0A DESCRIPTION STP607D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

Другие транзисторы: TP5551, TP5551R, TP5816, TP5855, TP5856, TP5857, TP5858, TP5910, 2SA1015, TP706, TP706A, TP708, TP750, TP751, TP753, TP834, TP835