TP835 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TP835  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TP835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP835 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TP6076, TP706, TP706A, TP708, TP750, TP751, TP753, TP834, MPSA42, TP901, TP911, TP918, TP918R, TP929, TP929A, TP930, TP930A