Справочник транзисторов. TR04

 

Биполярный транзистор TR04 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TR04
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
 

 Аналог (замена) для TR04

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TR04 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:77K  rohm
 rtr040n03tl.pdf pdf_icon

TR04

RTR040N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT31.0MAXMOS FET 2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2)0.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : QV

 0.2. Size:940K  rohm
 rtr040n03fra.pdf pdf_icon

TR04

RTR040N03FRARTR040N03TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03RTR040N03FRA External dimensions (Unit : mm) StructureSilicon N-channel TSMT31.0MAXMOS FET2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2)0.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimen

 0.3. Size:80K  rohm
 rtr040n03.pdf pdf_icon

TR04

RTR040N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT31.0MAXMOS FET 2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2)0.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : QV

 0.4. Size:894K  cn vbsemi
 rtr040n03tl.pdf pdf_icon

TR04

RTR040N03TLwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... TP930A , TP930R , TPSA13 , TPSA14 , TR01042 , TR01062-1 , TR01073 , TR03 , BD139 , TR05 , TR07 , TR08 , TR09 , TR1001A , TR1030A , TR1032A , TR-1033-1 .

 

 
Back to Top

 


 
.