2N1150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1150

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 18

Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для 2N1150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1150 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1146B, 2N1146C, 2N1147, 2N1147A, 2N1147B, 2N1147C, 2N1149, 2N115, BC639, 2N1151, 2N1152, 2N1153, 2N1154, 2N1155, 2N1156, 2N1157, 2N1157A