2N5366. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5366

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N5366

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5366 даташит

 ..1. Size:60K  fairchild semi
2n5366.pdfpdf_icon

2N5366

2N5366 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifiers applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 68. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emitter-Base

 9.1. Size:218K  no
2n5365.pdfpdf_icon

2N5366

 9.2. Size:43K  microelectronics
2n5367.pdfpdf_icon

2N5366

Другие транзисторы: 2N5354, 2N5355, 2N5356, 2N5357, 2N535A, 2N535B, 2N536, 2N5365, TIP122, 2N5367, 2N5368, 2N5369, 2N537, 2N5370, 2N5371, 2N5372, 2N5373