Биполярный транзистор V435 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: V435
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам