XB102. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: XB102
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 55 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Аналоги (замена) для XB102
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
XB102 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: XA131, XA141, XA142, XA143, XA151, XA152, XA161, XA162, TIP122, XB103, XB104, XB112, XB113, XB114, XB121, XC101, XC121
History: 2SC536K | 2SA1263NR | NSD134 | MA898 | WTM669A | 2SA1263NO
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979