Биполярный транзистор ZBD857 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ZBD857
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам