2N5390 - описание и поиск аналогов

 

2N5390. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5390

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO33

 Аналоги (замена) для 2N5390

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5390 даташит

 9.1. Size:91K  interfet
 2n5397 2n5398.pdf pdf_icon

2N5390

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Другие транзисторы: 2N5385, 2N5386, 2N5387, 2N5388, 2N5389, 2N538A, 2N538M, 2N539, TIP35C, 2N5399, 2N539A, 2N54, 2N540, 2N5400, 2N5401, 2N5404, 2N5405

 

 

 

 

↑ Back to Top
.