Биполярный транзистор ZTX383B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX383B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 240
Корпус транзистора: TO92
ZTX383B Datasheet (PDF)
9.1. Size:50K diodes
ztx3866.pdf
ztx3866.pdf
NPN SILICON PLANAR R.F.ZTX3866MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T 8V 8 i I T 8V i I Ti i i i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
