Биполярный транзистор ZTX383C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX383C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 450
Корпус транзистора: TO92
ZTX383C Datasheet (PDF)
9.1. Size:50K diodes
ztx3866.pdf
ztx3866.pdf
NPN SILICON PLANAR R.F.ZTX3866MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T 8V 8 i I T 8V i I Ti i i i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
