Биполярный транзистор ZTX452 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX452
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
ZTX452 Datasheet (PDF)
ztx454 ztx455.pdf
NPN SILICON PLANARZTX454MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX455ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V tsS i 7654td3 nS100 E-Line2TO92 Compatible501ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0 0 T T T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V V I V I 1
ztx450 ztx451.pdf
NPN SILICON PLANARZTX450MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX451ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i tsnS 800700600500400E-Line300TO92 Compatible200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.1001 T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V 8 V I V I
ztx458.pdf
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER 8 ZTX458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i 0E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V10 20 II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T =10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II
ztx457.pdf
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX457HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V
ztx458 3da458.pdf
ZTX458(3DA458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power high voltage applications. : Features: High V , high P . CEO C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 400 V CBO V 400 V CEO V 5.0
ztx450 3da450.pdf
ZTX450(3DA450) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :/Features: High P and I . C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 45 V CEO V 5.0 V EBO I 1.0 A C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050