Справочник транзисторов. ZTX452

 

Биполярный транзистор ZTX452 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZTX452
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ZTX452

 

 

ZTX452 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:53K  diodes
ztx454 ztx455.pdf

ZTX452
ZTX452

NPN SILICON PLANARZTX454MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX455ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V tsS i 7654td3 nS100 E-Line2TO92 Compatible501ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0 0 T T T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V V I V I 1

 9.2. Size:55K  diodes
ztx450 ztx451.pdf

ZTX452
ZTX452

NPN SILICON PLANARZTX450MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX451ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i tsnS 800700600500400E-Line300TO92 Compatible200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.1001 T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V 8 V I V I

 9.3. Size:57K  diodes
ztx458.pdf

ZTX452
ZTX452

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER 8 ZTX458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i 0E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V10 20 II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T =10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II

 9.4. Size:40K  diodes
ztx457.pdf

ZTX452

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX457HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V

 9.5. Size:226K  foshan
ztx458 3da458.pdf

ZTX452
ZTX452

ZTX458(3DA458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power high voltage applications. : Features: High V , high P . CEO C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 400 V CBO V 400 V CEO V 5.0

 9.6. Size:373K  lzg
ztx450 3da450.pdf

ZTX452
ZTX452

ZTX450(3DA450) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :/Features: High P and I . C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 45 V CEO V 5.0 V EBO I 1.0 A C

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top