Справочник транзисторов. ZTX501M

 

Биполярный транзистор ZTX501M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZTX501M
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ZTX501M

 

 

ZTX501M Datasheet (PDF)

 9.1. Size:41K  diodes
ztx500.pdf

ZTX501M
ZTX501M

PNP SILICON PLANAR0 ZTX500SMALL SIGNAL TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I i i V I 0 i V V I V I II I V V i I V V II i V V I I i

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top