2N1156. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1156

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9

Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для 2N1156

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1156 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1149, 2N115, 2N1150, 2N1151, 2N1152, 2N1153, 2N1154, 2N1155, MPSA42, 2N1157, 2N1157A, 2N1158, 2N1158A, 2N1159, 2N116, 2N1160, 2N1162