Биполярный транзистор ZTX557
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX557
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора:
TO92
Аналоги (замена) для ZTX557
ZTX557
Datasheet (PDF)
..1. Size:55K diodes
ztx556 ztx557.pdf 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER6 ZTX556HIGH VOLTAGE TRANSISTORS7 ZTX557ISSUE 1 JULY 94 T V I V tr i s2.01.51.0td E-LinensTO92 Compatible100ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0.550 T T T IT0 0 II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI
9.1. Size:59K diodes
ztx554 ztx555.pdf 
PNP SILICON PLANAR4 ZTX554MEDIUM POWER TRANSISTORS5 ZTX555ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i tfns1000800600E-LinetdnsTO92 Compatible400 100ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.200 50 T T T IT0 0 II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T
9.2. Size:53K diodes
ztx552 ztx553 2.pdf 
PNP SILICON PLANAR2 ZTX552MEDIUM POWER TRANSISTORS3 ZTX553ISSUE 1 MARCH 94 T V I V tftsnSS3 600 i 2 400E-Line1 200TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.100 T T T IT0 0 II V I V V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V V I
9.3. Size:90K diodes
ztx550 ztx551.pdf 
PNP SILICON PLANAR0 ZTX550MEDIUM POWER TRANSISTORS1 ZTX551ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT-10 II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V 8 V I -10 V I II i V V I i i V I
9.4. Size:56K diodes
ztx558.pdf 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER 8 ZTX558HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 1 APRIL 94 T V I V i B=10E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V1 10 20 II i V I V V i V I V V i II I Di i i i T T T =10ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I 1 10
9.5. Size:50K diodes
ztx552 ztx553.pdf 
PNP SILICON PLANAR2 ZTX552MEDIUM POWER TRANSISTORS3 ZTX553ISSUE 1 MARCH 94 T V I V tftsnSS3 600 i 2 400E-Line1 200TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.100 T T T IT0 0 II V I V V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V V I
9.6. Size:177K foshan
ztx550 3ca550.pdf 
ZTX550(3CA550) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :/Features: High P and I . C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -45 V CEO V -5.0 V EBO I -1.0 A
Другие транзисторы... 2SA1179M4
, 2SA1179M5
, 2SA1179M6
, 2SA1179M7
, 2SA118
, 2SA1180
, 2SA1180A
, 2SA1182
, BD777
, 2SA1182Y
, 2SA1183
, 2SA1184
, 2SA1185
, 2SA1186
, 2SA1186O
, 2SA1186P
, 2SA1186Y
.
