ZTX653. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ZTX653
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для ZTX653
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
ZTX653 даташит
ztx652 ztx653.pdf
ZTX652 Not Recommended for New Design Please Use ZTX653 NPN SILICON PLANAR 2 ZTX652 MEDIUM POWER TRANSISTORS 3 ZTX653 ISSUE 2 JULY 94 T . V I V i i I V V E-Line V V TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT II V I V V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T IT i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C
ztx653dcsm.pdf
ZTX653DCSM NPN DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) FEATURES 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) DUAL SILICON PLANAR NPN 2 3 TRANSISTORS 1 4 A HERMETIC SURFACE MOUNT PACKAGE 0.23 6 5 rad. (0.009)
ztx653lcc4.pdf
ZTX653LCC4 NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 9.14 (0.360) 1.27 (0.050) 8.64 (0.340) 1.07 (0.040) FEATURES 2.16 (0.085) 12 13 14 15 16 1.39 (0.055) 1.02 (0.040) SILICON PLANAR NPN TRANSISTOR 11 17 10 18 7.62 (0.300) HERMETIC SURFACE MOUNT PACKAGE 7.12
ztx656 ztx657.pdf
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX656 HIGH VOLTAGE TRANSISTORS ZTX657 ISSUE 2 JULY 94 T V I V i E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT II V I V V 10 II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T T T IT DITI I I II V V I I V I II i V
Другие транзисторы... ZTX603 , ZTX604 , ZTX605 , ZTX614 , ZTX649 , ZTX650 , ZTX651 , ZTX652 , 2N3906 , ZTX654 , ZTX655 , ZTX656 , ZTX657 , ZTX658 , ZTX688B , ZTX689B , ZTX690B .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130








