Справочник транзисторов. ZTX757

 

Биполярный транзистор ZTX757 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZTX757
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ZTX757

 

 

ZTX757 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  diodes
ztx756 ztx757.pdf

ZTX757
ZTX757

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX756HIGH VOLTAGE TRANSISTORSZTX757ISSUE 2 JULY 94 T V I V i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I

 9.1. Size:62K  diodes
ztx752 ztx753.pdf

ZTX757
ZTX757

PNP SILICON PLANAR2 ZTX752MEDIUM POWER TRANSISTORS3 ZTX753ISSUE 2 JULY 94 T V I V i i I V VV VE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT II V I V V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T IT i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I T I T II V

 9.2. Size:63K  diodes
ztx758.pdf

ZTX757
ZTX757

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX758HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 1 APRIL 94 T V I V i V V E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I IT i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I V I II i V

 9.3. Size:369K  diodes
ztx751.pdf

ZTX757
ZTX757

A Product Line ofDiodes IncorporatedZTX75160V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE Features Mechanical Data BVCEO > -60V Case: E-Line (TO-92 Compatible) IC = -2A High Continuous Collector Current Case Material: molded plastic, Green Molding Compound ICM = -6A Peak Pulse Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 TJ up to +200C for Hi

 9.4. Size:49K  diodes
ztx754 ztx755.pdf

ZTX757
ZTX757

PNP SILICON PLANARZTX754MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX755ISSUE 2 JULY 94 T V I V i i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I 1

 9.5. Size:61K  diodes
ztx750 ztx751.pdf

ZTX757
ZTX757

PNP SILICON PLANAR ZTX750MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX751ISSUE 2 JULY 94 T . V I V i i I V VE-LineV V TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T IT i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I T I T II

 9.6. Size:33K  semelab
ztx753dcsm.pdf

ZTX757
ZTX757

ZTX753DCSMPNP DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONSMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13 FEATURES(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005) DUAL SILICON PLANAR PNP2 3TRANSISTORS14A0.236 5rad. HERMETIC SURFACE MOUNT PACKAGE(0.009)6.22

 9.7. Size:412K  foshan
ztx750 3ca750.pdf

ZTX757
ZTX757

ZTX750(3CA750) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :/Features: High P and I . C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -45 V CEO V -5.0 V EBO I -2.0 A

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 

Back to Top