Биполярный транзистор 2N1157 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1157
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 28 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO61
     - подбор биполярного транзистора по параметрам