2N1157. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1157

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 28 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N1157

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1157 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N115, 2N1150, 2N1151, 2N1152, 2N1153, 2N1154, 2N1155, 2N1156, 2SC828, 2N1157A, 2N1158, 2N1158A, 2N1159, 2N116, 2N1160, 2N1162, 2N1162A