Биполярный транзистор 2N1157 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1157
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 28 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO61
Другие транзисторы... 2N115 , 2N1150 , 2N1151 , 2N1152 , 2N1153 , 2N1154 , 2N1155 , 2N1156 , BC639 , 2N1157A , 2N1158 , 2N1158A , 2N1159 , 2N116 , 2N1160 , 2N1162 , 2N1162A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050