2SB1366F-O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1366F-O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SB1366F-O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1366F-O даташит

 ..1. Size:104K  mcc
 2sb1366f-o.pdf pdf_icon

2SB1366F-O

MCC TM Micro Commercial Components 2SB1366F-O 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2SB1366F-Y Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Low VCE(SAT) VCE(SAT)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A) Power Transistors Lead Free Finish/RoHS Compliant (No

 5.1. Size:104K  mcc
 2sb1366f-y.pdf pdf_icon

2SB1366F-O

MCC TM Micro Commercial Components 2SB1366F-O 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2SB1366F-Y Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Low VCE(SAT) VCE(SAT)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A) Power Transistors Lead Free Finish/RoHS Compliant (No

 7.1. Size:495K  no
 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf pdf_icon

2SB1366F-O

 7.2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb1366.pdf pdf_icon

2SB1366F-O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1366 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 25 W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max)@ (I = -2A, I = -0.2A) CE(sat) C B Complement to Type 2SD2058 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFE505, BFE520, BFG10, BFG10W-X, BFG11, BFG11-X, BFG11W-X, BFG21W, BDT88, BFG31, BFG403W, BFG425W, BFG505, BFG505W, BFG520, BFG520W, BFG590