2N5429. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5429

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2N5429

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5429 даташит

 ..1. Size:45K  inchange semiconductor
 2n5429.pdf pdf_icon

2N5429

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5429 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE

 9.1. Size:132K  mospec
 2n5427-29 2n5430.pdf pdf_icon

2N5429

A A A

 9.2. Size:17K  semelab
 2n5428a.pdf pdf_icon

2N5429

2N5428A MECHANICAL DATA MEDIUM POWER Dimensions in mm NPN SILICON TRANSISTOR 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 3.86 (0.145) rad. Designed for switching and wide - band amplifier applications 1.27 (0.050) 4.83 (0.190) 1.91 (0.750) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min. TO66 Package. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase=25 C unless otherwise stated) VCEO Co

 9.3. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N5429

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5422, 2N5423, 2N5424, 2N5424A, 2N5425, 2N5426, 2N5427, 2N5428, S9018, 2N542A, 2N543, 2N5430, 2N5435, 2N5436, 2N5437, 2N5438, 2N5439