BFR520T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFR520T
Маркировка: N2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT416 SC75
Аналоги (замена) для BFR520T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFR520T даташит
bfr520t 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 Apr 03 Supersedes data of 1999 Nov 02 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR520T FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN transistor encapsulated in a plastic SOT416 (SC-75) package. Low noise figure 3 fpage High tr
bfr520t.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 Apr 03 Supersedes data of 1999 Nov 02 NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR520T FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN transistor encapsulated in a plastic SOT416 (SC-75) package. Low noise figure 3 lfpage High tr
bfr520.pdf
BFR520 NPN 9 GHz wideband transistor Rev. 03 1 September 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability. 1.3 Applications RF front end wideband applic
bfr520 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFR520 NPN 9 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR520 telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), FEATURES radar detectors, pagers and satellite High power gain TV tuners (SATV) and repeater Low noise figu
Другие транзисторы: BFM505, BFM520, BFQ131, BFQ151, BFQ166, BFQ256, BFQ256A, BFR520, A1015, BFS25A, BFS520, BFS540, BLS2731-10, BLS2731-110, BLS2731-20, BLS2731-50, BLS3135-10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet




