BRY39. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRY39
Тип материала: Si
Полярность: PNP*NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.275 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.175 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO-72
Аналоги (замена) для BRY39
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BRY39 даташит
bry39 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D082 BRY39 Programmable unijunction transistor/ Silicon controlled switch 1997 Jul 24 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification Programmable unijunction transistor/ BRY39 Silicon controlled switch FEATURES PINNING Silicon controlled switch
Другие транзисторы: BLV58, BLV857, BLV859, BLV861, BLV862, BLV897, BLW30, BLW97, 2SD2499, BRY56, BRY56A, BRY61, BRY62, BU1506DX, BU1507AX, BU1507DX, BU2507DF
History: 2SC3646T-TD-E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet

