2DB1386R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2DB1386R  📄📄 

Маркировка: KP3R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2DB1386R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DB1386R даташит

 7.1. Size:223K  diodes
 2db1386q-r.pdf pdf_icon

2DB1386R

2DB1386Q/R PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT89-3L Case SOT89-3L COLLECTOR Case Material Molded Plastic, "Gr

Другие транзисторы: BU2523DX, BU2525DF, BU2525DW, BU2525DX, BU2527DF, 2DA2018, 2DB1119S, 2DB1386Q, BC549, 2DB1424R, 2DB1689, 2DB1697, 2DB1713, 2DD1621T, 2DD2098R, 2DD2150R, 2DD2652