2DD2150R - описание и поиск аналогов

 

2DD2150R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2DD2150R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2DD2150R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DD2150R даташит

 ..1. Size:147K  diodes
2dd2150r.pdfpdf_icon

2DD2150R

2DD2150R NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) SOT89-3L Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability COLLECTOR Mechanical Data 3

Другие транзисторы: 2DB1386Q, 2DB1386R, 2DB1424R, 2DB1689, 2DB1697, 2DB1713, 2DD1621T, 2DD2098R, BC547B, 2DD2652, 2DD2661, 2DD2678, BCX6825, BCX6925, DCP68, DCP68-25, DCP69

 

 

 

 

↑ Back to Top
.