DNLS412E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DNLS412E  📄📄 

Маркировка: N412

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для DNLS412E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DNLS412E даташит

 ..1. Size:155K  diodes
 dnls412e.pdf pdf_icon

DNLS412E

DNLS412E DNLS412E LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction 3 Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 57.5m at 4A 2 1 High DC Current Gain hFE > 400 at IC = 3A Complementary PNP Type Available (DPLS315E) Ideally Suited for Automated Ass

Другие транзисторы: DCP69-25, DCX68, DCX68-25, DCX69, DCX69-16, DCX69-25, DNLS320A, DNLS320E, BC547, DPLS315E, DPLS320A, DPLS325E, DSL12AW, DSS20200L, DSS20201L, DSS2515M, DSS3515M