Биполярный транзистор DNLS412E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DNLS412E
Маркировка: N412
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: SOT223
DNLS412E Datasheet (PDF)
..1. Size:155K diodes
dnls412e.pdf
dnls412e.pdf
DNLS412EDNLS412E LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction 3 Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 57.5m at 4A 21 High DC Current Gain hFE > 400 at IC = 3A Complementary PNP Type Available (DPLS315E) Ideally Suited for Automated Ass
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050