Справочник транзисторов. ZTX1147A

 

Биполярный транзистор ZTX1147A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZTX1147A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: E-LINE

 Аналоги (замена) для ZTX1147A

 

 

ZTX1147A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  diodes
 ztx1147a.pdf

ZTX1147A ZTX1147A

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX1147AHIGH GAIN TRANSISTORISSUE 1 - JANUARY 1997FEATURES* VCEO= -12V* 4 Amp Continuous Current* 20 Amp pulse Current* Low Saturation Voltage C B E* High GainE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO -15 VCollector-Emitter Voltage VCEO -12 VEmitter-Base Voltage VEBO -5

 8.1. Size:71K  diodes
 ztx1149a.pdf

ZTX1147A ZTX1147A

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX1149AHIGH GAIN TRANSISTORISSUE 1 - January 1997FEATURES* VCEO = - 25V* 3 Amp Continuous Current* 10 Amp Pulse Current* Low Saturation Voltage C B E* High GainE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL ZTX1149A UNITCollector-Base Voltage VCBO -30 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEB

 9.1. Size:75K  diodes
 ztx1151a.pdf

ZTX1147A ZTX1147A

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWERZTX1151AHIGH GAIN TRANSISTORISSUE 1 - JANUARY 1997FEATURES* VCEO= -40V* 3 Amp Continuous Current* 5 Amp Pulse Current* Low Saturation voltage* High Gain C B EE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO -45 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top